單晶爐進行以下操作；
      1.清爐、裝爐：清洗整個爐室內壁及加熱線圈、反射器、晶體夾持器、上軸、下軸，調整加熱線圈和反射器的水平及與上軸、下軸的對中；將多晶料夾具固定到多晶料尾部的刻槽處，然后將其舉返設備到上軸末端，進行多晶料的對中；將籽晶裝入籽晶夾頭上，然后將其設備到下軸頂端；封閉各個爐門，擰緊各緊固螺栓； 
      2.抽空、充氣、預熱：打開真空泵及抽氣管道閥門，對爐室進行抽真空，真空度到達所要求值時，封閉抽氣管道閥門及真空泵，向爐膛內快速充入氬氣；當充氣壓力到達相對壓力 1bar-6bar時，中止快速充氣，改用慢速充氣，一起打開排氣閥門進行流氬；充氣完畢后，對多晶硅棒料進行預熱，預熱運用石墨預熱環，運用電流檔，預熱設定點25-40％，預熱時間為10-20分鐘；     3.化料、引晶：預熱完畢后，進行化料，化料時轉入電壓檔，發生器設定點在40-60％；多晶料熔化后，將籽晶與熔硅進行熔接，熔接后對熔區進行整形，引晶； 
      4.成長細頸：引晶完畢后，進行細頸的成長，細頸的直徑在2-6mm，長度在30-60mm； 
      5.擴肩及氮氣的充入：細頸成長完畢后，進行擴肩，緩慢削減下速至3±2mm/min，一起隨著擴肩直徑的增大不斷削減下轉至8±4rpm，別的還要緩慢減小上轉至1±0.5rpm；為了避免高壓電離，在氬氣保護氣氛中充入必定份額的氮氣，氮氣的摻入份額相對于氬氣的 0.01％-5％；
      6. 轉肩、堅持及夾持器開釋：在擴肩直徑與單晶堅持直徑相差3-20mm時，擴肩的速度要放慢一些，進行轉肩，直至到達所需直徑，單晶堅持，等徑堅持直徑在75mm-220mm，單晶成長速度1mm/分-5mm/分，在擴肩過程中，當單晶的肩部單晶夾持器的銷子的距離小于2mm時開釋夾持器，將單晶夾住； 
      7.收尾、停爐：當單晶拉至尾部，開始進行收尾，收尾到單晶的直徑到達Φ10-80mm，將熔區擺開，這時使下軸持續向下運動，上軸改向上運動，一起功率堅持在40±10％，對晶體進行緩慢降溫。一種直拉單晶成長設備，歸于半導體成長設備技術領域。它包含液壓伺服系統調理坩堝桿；在加熱控制單元中，三相平衡變壓器、濾波電容器、電抗器和電阻器組合連接而成，與諧波源并聯；它還具有變頻充氣設備。本發明克服現有的坩堝軸升降驅動設備不能有用的確保出產控制穩定性及精確度不行精確缺乏，克服現有的加熱控制單元不能消除諧波的缺乏，一起也克服現有的坩堝軸升降驅動設備不能有用的確保出產控制穩定性及精確度不行精確缺乏。