來自NRL的研討人員，一同也是該論文的一同作者Cory Cress在接受電子郵件采訪時解說說，“氮摻入石墨烯晶格現已可以通過其他技術結束，包含在生長期和后生長期的退火技術等。不過，現在已選用的技術在控制摻雜物的方位上存在明顯的區別，包含空間上和深度上的區別(假設運用多層石墨烯樣品)。在通常情況下雜質的置換，比方氮，假設沒有額外缺陷的話會是修正能帶構造的志向摻雜，因為它最佳地堅持了石墨烯的底子傳輸才能。”

       氮摻雜一貫都是在石墨烯里發生安穩帶隙的許多方法中最有出路的方法之一，它實際上是增加了資料的導電率。如今，美國海軍研討實驗室(NRL)的研討人員現已開發出了新的石墨烯氮摻雜技術，該項技術可以精確地控制氮摻雜劑在石墨烯晶格中的方位，這種精確性極大地下降了系統缺陷，并且安穩性也有了明顯提高。

　　氮原子作為石墨烯摻雜劑，具有十分特其他性質。這是依據它比碳原子多了一個額外的電子。氮原子被放置到石墨烯晶格內時，一切的鍵都堅持完好，并且有額外的電子可以在全部石墨烯層內自由移動。這增加了資猜中電子的濃度(也稱為n型摻雜)，也相應地增強了導電性。

　　從前的研討現已發現，在石墨烯中制作點缺陷(例如移除一個碳原子)不會改動固有的摻雜水平，Cress對此表示，“換句話說，石墨烯中的缺陷是電中性的，這么他們就不能可控地引入一個帶隙，雖然缺陷散射的增加會下降電子的傳輸。”

　　雖然其它摻雜劑在必定程度上會失利，但氮原子是石墨烯的志向n型摻雜劑，NRL的研討人員現已運用了超高溫離子寫入(HyTII)技術來摻入氮原子。因為氮原子和碳原子有著類似的質量和標準，成功替換的概率大大提高。

　　NRL的研討人員現已在ACS Nano期刊上描繪了他們的HyTII進程，而表征和測量資料的效果發布在Physical Review B上。

　　在他們的測量中，NRL的研討人員調查到了大的負磁阻，磁阻的標準與氮原子寫入的濃度和帶構造的改動有關，因為氮原子位于晶格中并且功用是固定的，因而可以通過控制氮原子的含量精確調節。

　　參與研討的NRL物理學家，論文的第一作者Adam L. Friedman在新聞發布會上說：“這些設備的測量效果劇烈標明，我們畢竟制成了帶有可調帶隙的石墨烯薄膜，一同兼有低缺陷密度和高安穩性的特色。因而，我們估測HyTII石墨烯薄膜在電子或自旋電子這些要求高質量石墨烯的應用領域會有著無量的潛力。”