化合物半導體有機金屬氣相生長用高純石墨制品（MOCVD）

    在化合物半導體上，以CVD法生長同種或不同種的化合物半導體單結晶的工序中，作為固定片的基盤座，使用SiC涂層的高純石墨制品。圖2-12所示為裝置。原料使用含Ga、As、Al等的有機化合物，在減壓下加熱至600~750℃，使之熱分解蒸涂到片上生成薄膜。采用SiC涂層品的理由是為防止從石墨中發生的氣或粉塵污染薄膜。

    把拉伸法制造的化合物半導體單晶棒制成硅片，再用液相法在硅片上生長同種或異種的化合物半導體結晶層。這個過程使用的裝置有臥式滑動舟型、臥式旋轉滑動型、豎式浸漬型等種類。圖2-11所示為臥式滑動舟型的簡單構成其舟體即是用高純度各向同性石墨的部件組合而成，也可以使用玻璃炭涂層的石墨部件。其工作原理為把石英管中的石墨舟加熱至1300，在通入氫氣的同時，移動裝載有硅片的滑動板，使其與所定的某種金屬相接觸，緩慢冷卻后硅片上就會析出單晶。要生成多層單晶時，按上述方法反復操作即可。之所以使用石墨材料，乃是因為其具有高溫強度高、電性能不活躍、高純石墨制品、熱傳導性能好、加工性能好及自潤滑性等特性。