穩(wěn)定旋轉(zhuǎn)的支架帶動晶片表面的氣體分子形成湍流圖案，對提高退火的均勻性有重要作用。后一種工作形式雖然在溫度測控精度和退火均勻性上有很大優(yōu)勢，但是在結(jié)構(gòu)設(shè)計和控制系統(tǒng)設(shè)計上非常復(fù)雜，所以其價格相當(dāng)昂貴，很多半導(dǎo)體廠商望而卻步。目前國內(nèi)只有SMIC等高端IC生產(chǎn)線在使用，其他IC廠商普遍采用前一種快速退火爐系統(tǒng)。

  在國外，由于半導(dǎo)體工業(yè)的快速發(fā)展，真空回火爐系統(tǒng)的研究起步較早。世界上第一個實用的快速退火爐系統(tǒng)由美國最大的半導(dǎo)體制造商瓦里安公司于1981年推出。目前國外快速退火爐的主要生產(chǎn)和研究單位是美國的MPT、應(yīng)用材料、AG、馬特森等公司；德國的AST，法國的JIPELEC等。這些公司一般采用光輻射加熱方式。

  主要有兩種技術(shù):一種是以美國AG、MPT、AST等公司為代表的單點測溫技術(shù)，另一種是以線光源(燈管)為熱源的雙面加熱方式，利用紅外熱輻射加熱原理直接加熱硅片實現(xiàn)。另一個是美國應(yīng)用材料公司獨有的多點側(cè)浸技術(shù)。熱源為點光源(燈泡)，單面加熱方式。球形燈泡發(fā)出的光通過高透射率的應(yīng)時窗進(jìn)入反應(yīng)室，加熱硅片支撐環(huán)上的硅片。溫度信號的側(cè)檢測由多個響應(yīng)時間非常快的紅外探頭實時檢測，加熱過程中晶圓高速旋轉(zhuǎn)，使得晶圓表面與反應(yīng)氣體的接觸幾率幾乎相同。